时间：2025/12/22 16:15:59
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MMZ1608R150AT是一款由TDK公司生产的表面贴装多层陶瓷片式电感器（MLCI），属于MMZ系列共模扼流圈。该器件专为抑制高速差分信号线路中的共模噪声而设计，广泛应用于各种通信接口和数字电路中。其小型化1608封装（公制尺寸1.6mm x 0.8mm）使其非常适合空间受限的便携式电子设备。该元件采用铁氧体材料和先进的叠层工艺制造，具备高阻抗特性和良好的频率响应，能够在不影响差模信号传输的情况下有效滤除共模干扰。MMZ1608R150AT的工作温度范围通常为-55°C至+125°C，适用于工业级和消费类电子产品。该器件符合RoHS指令要求，并具有无铅焊接兼容性，支持回流焊工艺，确保在现代自动化SMT生产线上的可靠组装。由于其出色的噪声抑制能力和紧凑的外形，它在USB、HDMI、LAN、摄像头模块、LCD面板等高速信号路径中发挥着关键作用，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
产品类型：共模扼流圈
电路类型：双通道
封装尺寸：1608（1.6 x 0.8 mm）
直流电阻(DCR)：最大4.3Ω（每通道）
额定电流：150mA（最大）
共模阻抗：150Ω @ 100MHz
测试频率：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
绝缘电阻：最小100MΩ
耐压：500Vrms（1分钟）
磁芯材料：铁氧体
端子结构：镍/锡电极
包装方式：编带包装，每卷3000个
MMZ1608R150AT的核心特性在于其优异的共模噪声抑制能力。该器件在100MHz频率下提供高达150Ω的共模阻抗，能够有效衰减高频干扰信号，防止其沿信号线辐射或传导，从而显著改善系统的电磁兼容性。其双通道对称结构专为差分信号线路设计，如USB D+/D-、HDMI TMDS对等，在不影响正常差模信号传输的前提下，选择性地抑制共模噪声。这种选择性源于共模扼流圈的工作原理：当两根导线中流过方向相反的差模电流时，磁场相互抵消，电感呈现低阻抗；而当共模电流（方向相同）流过时，磁场叠加增强，电感呈现高阻抗，从而阻碍噪声传播。
该器件采用TDK独有的低温共烧陶瓷（LTCC）技术和高μ铁氧体材料，实现了在极小1608封装内的高性能集成。其直流电阻较低（典型值约3.5Ω每通道），有助于减少信号路径上的功率损耗和温升，保证信号完整性。同时，150mA的额定电流足以满足大多数低功耗高速接口的需求。MMZ1608R150AT具有宽频带噪声抑制特性，其有效抑制范围可覆盖数十MHz至数百MHz，特别适用于抑制开关电源、时钟谐波及高速数字电路产生的宽带噪声。
此外，该元件具备良好的温度稳定性和长期可靠性。其铁氧体材料在宽温度范围内保持稳定的磁导率，确保阻抗性能不随环境变化剧烈波动。端子采用镍阻挡层和锡镀层结构，提供优良的可焊性和耐腐蚀性，适合无铅回流焊工艺。整体结构坚固，抗机械应力能力强，能承受PCB弯曲和热循环带来的影响。这些特性使其成为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机及其他便携式设备中不可或缺的EMI对策元件。
MMZ1608R150AT主要应用于需要高速数据传输且对电磁干扰敏感的电子设备中。典型应用场景包括USB 2.0接口的D+和D-信号线，用于抑制由主机或外设产生的共模噪声，防止其通过电缆辐射导致EMI超标。在HDMI和DisplayPort等高清视频接口中，该器件可用于TMDS差分对的共模滤波，提升视频信号质量并满足严格的EMC认证要求。在以太网接口（如10/100BASE-TX）中，也可用于PHY与变压器之间的共模噪声抑制。此外，该元件广泛用于移动设备的摄像头模组与主处理器之间的CSI-2接口、显示屏与主板之间的DSI接口，有效防止高频噪声耦合到敏感模拟电路或天线区域，避免出现图像干扰或无线通信性能下降等问题。在便携式音频设备中，可用于I2S数字音频总线的噪声滤波，提升音质表现。由于其小型化设计，特别适合高密度布局的智能手机、可穿戴设备和超薄笔记本电脑等产品。
BLM18PG151SN1D
DEA1608151T-R
