产品类型：铁氧体磁珠
　　封装尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　阻抗频率：100MHz
　　标称阻抗：240Ω
　　直流电阻（DCR）：典型值0.35Ω
　　额定电流：500mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大耐压：6.3V
　　电容值：约0.2pF
　　Q值：低Q值设计（用于宽频噪声吸收）
　　包装形式：编带（Taping），TD25

MMZ1005S241CTD25的最显著特性是其在高频段具有优异的噪声抑制能力。在100MHz时，其标称阻抗达到240Ω，能够有效衰减高频噪声信号，尤其适用于GHz级别的射频干扰抑制。这种高阻抗特性来源于其内部多层铁氧体材料与精细金属电极的复合结构，在高频交变电流作用下产生涡流损耗和磁滞损耗，将电磁能量转化为热能消耗掉，从而阻止噪声沿线路传播。相较于传统的电感或RC滤波器，磁珠在不引入额外相位延迟的情况下实现噪声滤波，更适合高速信号路径的应用。
　　该器件采用了村田先进的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺，确保了元件在微小尺寸下的电气性能一致性与机械强度。1005封装使其非常适合高密度PCB布局，同时保持良好的焊接可靠性和抗机械应力能力。其直流电阻（DCR）仅为0.35Ω左右，意味着在通过正常工作电流时产生的电压降和功耗极小，不会对电源效率造成明显影响，特别适合电池供电设备中对功耗敏感的场景。
　　另一个重要特性是其宽频噪声吸收能力。MMZ1005S241CTD25不仅在100MHz附近表现良好，其阻抗曲线在整个几十MHz到数GHz范围内均维持较高水平，覆盖了大多数开关电源噪声、时钟谐波和射频耦合干扰的频段。这使得它可以在多种电路环境中作为通用EMI对策元件使用，无需针对特定频率重新选型。
　　此外，该磁珠具备优良的温度稳定性与电流耐受能力。即使在500mA的持续电流下，其阻抗性能也不会发生显著退化，且在高温环境下仍能保持结构完整性。由于其非饱和性材料设计，即使在瞬态大电流冲击下也能维持稳定的滤波效果，避免因磁芯饱和导致的滤波失效问题。这些特性共同保证了其在复杂电磁环境中的长期可靠运行。

MMZ1005S241CTD25广泛应用于各类需要电磁干扰抑制的电子设备中，尤其是在高频信号线路和电源去耦电路中发挥关键作用。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中，常被用于摄像头模组、显示屏接口（如MIPI DSI/CSI）、音频线路和无线模块（Wi-Fi、蓝牙、GPS）的信号线上，以防止高频噪声串扰和辐射发射超标。其小型化封装非常契合紧凑型主板的设计需求。
　　在便携式消费类电子产品如智能手表、TWS耳机和AR/VR设备中，该磁珠用于电源轨的局部去噪，特别是在LDO输出端或RF放大器供电路径上，可有效降低电源纹波对敏感模拟电路的影响，提高信噪比和系统稳定性。
　　此外，它也被广泛应用于高速数字接口保护，例如USB数据线、I2C总线和SD卡接口等，防止外部噪声侵入主控芯片或内部噪声向外辐射。在射频前端模块中，MMZ1005S241CTD25可用于偏置电路的RF扼流，隔离射频信号与直流供电之间的相互干扰，保障天线切换开关、功率放大器等组件的正常工作。
　　工业控制和汽车电子领域中，尽管此类小尺寸磁珠主要用于车载信息娱乐系统而非动力系统，但仍可用于CAN/LIN总线终端、传感器信号调理电路等场合，以增强系统的抗干扰能力和EMC合规性。整体而言，该器件适用于任何需要在有限空间内实现高效EMI抑制的高频电子系统。

BLM18AG221SN1D
　　DLW21HN221XK2
　　ACMZ2012S241CTD
　　SRN1005C-241M