时间：2025/5/23 0:47:20
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MMUN5113DW 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路以及各种需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备高可靠性与卓越的电气性能。
其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
总功耗：19W
工作温度范围：-55℃~150℃
MMUN5113DW 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，确保在高频应用中表现出色。
3. 小型化的 DPAK 封装，节省 PCB 空间且易于集成。
4. 宽工作温度范围，适用于多种恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该 MOSFET 器件适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压转换器。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动中的逆变桥和斩波电路。
4. 各种 DC-DC 转换器及便携式电子设备的电源管理模块。
5. 其他需要高效开关和低功耗的应用场景。
IRLML6402TRPBF, AO3400A
