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MMUN5113DW 发布时间 时间:2025/5/23 0:47:20 查看 阅读:17

MMUN5113DW 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路以及各种需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备高可靠性与卓越的电气性能。
  其封装形式为 TO-263(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.8A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻(典型值):7.5mΩ
  总功耗:19W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

MMUN5113DW 的主要特性包括以下几点:
  1. 低导通电阻设计,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,确保在高频应用中表现出色。
  3. 小型化的 DPAK 封装,节省 PCB 空间且易于集成。
  4. 宽工作温度范围,适用于多种恶劣环境下的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

该 MOSFET 器件适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压转换器。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动中的逆变桥和斩波电路。
  4. 各种 DC-DC 转换器及便携式电子设备的电源管理模块。
  5. 其他需要高效开关和低功耗的应用场景。

替代型号

IRLML6402TRPBF, AO3400A

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