晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

MMUN2233BLT1具有优异的高频性能，其过渡频率（fT）高达100MHz，使其非常适合用于高频放大和开关应用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的档位，可以在110到800之间变化，适应不同的电路设计需求。
　　器件的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够在中等功率应用中稳定工作。
　　采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能。
　　MMUN2233BLT1的热阻较低，能够在较高的环境温度下保持稳定运行，适用于恶劣工作环境。
　　由于其低饱和电压和快速开关特性，该晶体管在数字开关电路、放大器设计和电源管理电路中表现优异。
　　该器件符合RoHS标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。

MMUN2233BLT1广泛应用于各种电子设备中，尤其适合需要高频响应和低功耗的场景。
　　常用于数字电路中的开关元件，例如在逻辑门电路、驱动电路和继电器控制电路中。
　　在射频（RF）放大器和前置放大器设计中，该晶体管能够提供良好的信号放大性能。
　　也适用于音频放大电路，如小功率音频前置放大器或信号调节电路。
　　在工业自动化控制系统中，可用于传感器信号放大、电机驱动控制等。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等中也常见其身影，用于各类信号处理和控制电路。
　　此外，该晶体管还适用于电源管理电路、LED驱动电路以及电池充电控制电路等。

MMUN2234BLT1, BC847BS, 2N3904, 2N2222, PN2222