MMUN2212L1G 时间：2025/8/13 13:04:11 阅读：10

MMUN2212L1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于数字晶体管（Digital Transistor）类别。该器件集成了一个NPN晶体管和两个内部偏置电阻，分别连接在基极和发射极之间，这使得它可以直接用于数字电路中，而无需额外的偏置电阻。MMUN2212L1G具有SOT-23小外形封装，适用于便携式设备和空间受限的应用。

参数

晶体管类型：NPN数字晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：80 @ IC=2mA, VCE=5V
　　基极-发射极电阻（R1）：10kΩ
　　基极-地电阻（R2）：10kΩ
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MMUN2212L1G的主要特点在于其内置偏置电阻的设计，简化了电路设计并减少了外部元件数量。这种集成设计使其非常适合用于逻辑电路、开关电路以及驱动小型负载的应用。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种通用数字和模拟应用。此外，SOT-23封装提供了较小的占板面积，便于在高密度PCB设计中使用。
　　该器件的电气性能也较为出色，具有较高的电流增益，能够在低电流条件下保持良好的放大能力。此外，其较高的集电极-发射极击穿电压（50V）使其适用于中等电压的开关应用。MMUN2212L1G的低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。
　　由于其内置电阻的比值设计（R1和R2均为10kΩ），该晶体管可以有效地限制基极电流，从而保护晶体管免受过流损坏。这种特性使其在使用中更加安全可靠，特别是在数字控制电路中。

应用

MMUN2212L1G广泛应用于需要集成偏置电阻的NPN晶体管电路中。常见应用包括逻辑电平转换、继电器或LED驱动、小型电机控制、信号开关、放大器前置级等。由于其内置电阻的特性，特别适用于需要简化电路设计、减少元件数量和PCB面积的场合，例如消费电子产品、工业控制系统、汽车电子模块以及便携式设备中的数字开关电路。