类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功率耗散（PD）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：在IC=2 mA时，典型值为350（具体值取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

MMUN2211RLT1G具有多种优良的电气和物理特性，使其适用于广泛的电子设计应用。
　　首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为50 V，这使其能够适应较高电压的应用，同时具备良好的电压耐受能力。在低电压操作中，这种高耐压特性可以提供额外的安全裕度，确保电路的可靠性。
　　其次，MMUN2211RLT1G的最大集电极电流为100 mA，足以满足大多数低功耗电路的需求，如信号放大、开关控制等。该晶体管的功率耗散为300 mW，确保在正常工作条件下不会因过热而损坏。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）在IC=2 mA时典型值为350，并且根据测试条件可能在一定范围内变化。高电流增益意味着该晶体管在放大电路中能够实现更高的信号增益，从而减少对后续级电路的需求。
　　此外，MMUN2211RLT1G的工作频率高达250 MHz，适合用于高频信号处理和射频（RF）应用。其高频特性使其在数字电路、射频放大器和高速开关电路中表现出色。
　　MMUN2211RLT1G采用SOT-23封装，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。这种封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于在PCB（印刷电路板）上进行高效组装，同时也适用于自动化生产流程。
　　该晶体管的温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适合用于工业控制、汽车电子和户外设备等对温度适应性要求较高的应用。

MMUN2211RLT1G广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 信号放大电路：该晶体管可用于音频放大器、射频放大器和模拟信号处理电路中，提供高增益的信号放大功能。
　　2. 开关电路：由于其良好的电流放大能力和高频特性，MMUN2211RLT1G常用于数字开关电路、LED驱动电路和继电器控制电路中。
　　3. 逻辑门电路：在数字电路设计中，该晶体管可作为逻辑门电路的一部分，用于实现基本的逻辑运算功能。
　　4. 传感器接口：MMUN2211RLT1G可用于传感器信号调理电路，将传感器输出的微弱信号放大后送入后续处理电路。
　　5. 工业自动化：该晶体管可在工业控制系统中用于控制继电器、电机驱动器和执行器等设备。
　　6. 汽车电子：由于其宽温度范围和可靠的性能，MMUN2211RLT1G也可用于汽车中的电子控制系统，如车身控制模块、照明系统和传感器接口等。

MMUN2211RLT1G的替代型号包括MMUN2214LT1G、MUN5211DW1T1G、MUN5214DW1T1G等，这些型号在参数和封装上具有相似的特性，可以根据具体应用需求进行选择。