时间：2025/8/13 15:53:27
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MMUN2133是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，由两个NPN晶体管组成，集成在一个封装中。该器件通常用于需要高增益、高可靠性和低功耗的电路设计中。MMUN2133采用了先进的制造工艺，具有高稳定性和优良的电气性能，广泛应用于模拟电路、数字电路和混合信号电路中。
类型：双极性晶体管（NPN）
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
MMUN2133的主要特性包括高电流增益（hFE）、低饱和压降（VCE(sat)）以及优异的温度稳定性。
该器件的两个晶体管具有匹配的电气特性，适合需要高一致性的电路设计，如差分放大器和电流镜等。
MMUN2133采用SOT-23封装，体积小，便于在紧凑的电路板设计中使用。
MMUN2133广泛应用于模拟放大器、逻辑门电路、开关电路以及传感器接口电路中。
在音频放大器中，它可以作为前置放大器级，提供高增益和低噪声性能。
在数字电路中，MMUN2133可用于实现逻辑门和缓冲器，提供快速开关特性。
此外，该器件还可用于功率管理电路、LED驱动电路以及电机控制电路中。
MMUN2134, MMUN2111, BC847
