时间：2025/8/13 13:03:24
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MMUN2131 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件常用于低功率开关和放大电路中，具有较高的电流增益和较低的饱和电压。MMUN2131 的设计使其适用于便携式设备、逻辑电路和驱动器应用。
类型：NPN 晶体管
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：300mW
电流增益（hFE）：在 2mA 时为 110 至 800（根据等级不同）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
MMUN2131 具有优异的电流放大性能，适用于各种低功率放大和开关应用。该晶体管的 hFE（电流增益）范围较宽，可根据不同等级提供不同的放大性能，适合用于需要高增益的应用场景。此外，其低饱和电压（VCE(sat)）确保了在开关状态下功耗较低，提高了整体能效。
器件采用 SOT-23 小型封装，适合高密度 PCB 设计，同时具有良好的热稳定性和可靠性。其最大工作电压为 30V，能够在多种电压环境下稳定工作，适用于广泛的电子系统。
MMUN2131 还具备良好的频率响应特性，可在高频应用中提供稳定的性能。这使其不仅适用于基础的开关电路，还能在射频（RF）和音频放大电路中发挥作用。
MMUN2131 主要应用于便携式电子产品、逻辑电路、驱动器电路、信号放大器以及各种低功率开关电路。其优异的电流增益性能和低功耗特性也使其广泛用于传感器接口电路和微控制器外围电路。此外，该晶体管在电池供电设备中表现出色，能够延长电池使用寿命。由于其 SOT-23 小型封装形式，MMUN2131 非常适合用于空间受限的设计中。
MMUN2134, BC817, 2N3904
