MMUN2115 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型的晶体管。该器件广泛应用于通用开关和放大电路中,具有良好的性能和稳定性。MMUN2115 封装在 SOT-23(小外形晶体管)封装中,非常适合在空间受限的电路板设计中使用。该晶体管具有较高的电流放大系数和较低的饱和电压,使其在各种电子应用中具有较高的效率。
类型:NPN 双极性晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Pd):300mW
电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
MMUN2115 晶体管具有多种优良特性,适用于各种电子电路设计。首先,该晶体管的最大集电极电流为 100mA,可以支持中等功率的开关和放大应用。同时,最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V,使其能够在较高的电压条件下稳定工作。
其次,MMUN2115 的电流增益(hFE)范围为 110 到 800,根据不同的档位选择,可以满足不同电路设计对增益的需求。这种宽范围的增益选择提高了其在放大电路中的适用性,尤其是在音频放大和信号处理应用中。
MMUN2115 由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个电子领域。首先,在开关电路中,该晶体管可以用于控制负载的通断,如 LED 驱动、继电器控制和电机驱动等。由于其较高的电流增益和较低的饱和电压,能够有效提高开关效率并减少功率损耗。
BC847, 2N3904, PN2222