时间：2025/5/12 9:00:54
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MMUN2111T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 MACOM 公司生产。该器件具有高频、高效和高功率密度的特点，广泛应用于射频和微波通信系统中。
它采用表面贴装封装，适合自动化装配工艺。得益于 GaN 的优异性能，MMUN2111T1G 在高频工作条件下表现出极低的导通电阻和高击穿电压，使其成为现代无线基础设施的理想选择。
型号：MMUN2111T1G
类型：GaN HEMT
封装：SMD
频率范围：DC 至 6 GHz
输出功率：40 W（典型值）
增益：13 dB（典型值）
效率：55%（典型值）
最大漏源电压：50 V
最大栅源电压：±7 V
导通电阻：约 0.1 Ω
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
MMUN2111T1G 的主要特性包括：
1. 高功率密度：由于采用了先进的 GaN 工艺，能够在较小尺寸下提供高功率输出。
2. 宽带性能：支持从 DC 到 6 GHz 的宽频率范围，适用于多种射频应用。
3. 高效率：在高频工作条件下仍能保持较高的能量转换效率，降低散热需求。
4. 低热阻：优化的封装设计有助于快速散热，提升可靠性。
5. 稳定性：即使在极端温度环境下也能保持稳定的性能表现。
6. 易于集成：表面贴装封装简化了 PCB 设计和装配流程。
MMUN2111T1G 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于基站、雷达和其他通信设备。
2. 微波通信系统：支持点对点和点对多点通信。
3. 无线基础设施：满足 4G 和 5G 网络对高性能功率放大器的需求。
4. 军事与航空航天：适用于需要高可靠性和高频性能的应用场景。
5. 测试与测量：为信号发生器和频谱分析仪等设备提供稳定的功率输出。
MMUT001012M
MMPT2112S
MMPF1912S
