时间：2025/6/18 9:11:43
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MMT10B260T3G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，由 MACOM 公司生产。该器件专为高频和高功率射频应用而设计，具有卓越的功率密度、效率和增益性能。
它采用匹配网络优化设计，适合于工作在 S 波段的应用场景，例如雷达系统、通信基站和其他高性能射频系统。该器件采用气密封装，提供良好的可靠性和环境适应性。
型号：MMT10B260T3G
封装形式：TO-270 Air Cavity
工作频率范围：2 GHz 至 4 GHz
峰值输出功率：260 W
增益：14 dB（典型值）
漏极效率：55%（典型值）
输入匹配阻抗：约 18.5 ohms
输出匹配阻抗：约 4.5 ohms
静态偏置：28 V, 20 A
结温范围：-55°C 至 +150°C
MMT10B260T3G 的主要特性包括：
1. 高功率输出能力，在 2-4 GHz 范围内能够提供高达 260W 的峰值功率。
2. 高效率运行，典型漏极效率达到 55%，降低了散热需求并提高了系统整体能效。
3. 使用氮化镓技术制造，具备高电子迁移率和击穿电压，确保优异的射频性能。
4. 内部集成匹配网络，简化了外部电路设计，并增强了与常见射频系统的兼容性。
5. 空腔气密封装，保证了长期可靠性以及在恶劣环境下工作的稳定性。
6. 宽带性能使得其适用于多种不同频率点的应用场景，如雷达探测或宽带通信设备。
MMT10B260T3G 广泛应用于以下领域：
1. 军用雷达系统中的功率放大器模块，提供高功率和高效率。
2. 商用无线通信基础设施，如蜂窝基站和微波链路中的射频功率放大器。
3. 测试测量仪器，用于产生高功率射频信号。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用中的射频能源生成。
5. 卫星通信系统中的地面站发射机部分。
这款器件因其高效、高功率的特点，成为需要高性能射频能量解决方案的理想选择。
MMT10B200T3G
MMT10B150T3G
