时间：2025/6/21 2:39:51
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MMT05B260T3G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Infineon Technologies 的 OptiMOS 系列。该器件采用 TOLL 封装，专门设计用于满足工业和汽车应用中的高功率密度需求。
这款 MOSFET 提供极低的导通电阻 (Rds(on))，从而在高电流条件下实现高效的功率转换。其出色的热性能和坚固的设计使其适用于多种严苛的工作环境。
型号：MMT05B260T3G
封装类型：TOLL
VDS（漏源极电压）：260V
RDS(on)（导通电阻）：4.8mΩ（典型值，VGS=10V）
最大持续漏极电流（ID）：590A
总栅极电荷（Qg）：79nC（典型值）
开关频率：高达 100kHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温：175°C
MMT05B260T3G 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效能表现，降低了传导损耗。
2. 高电流处理能力使其适合于大功率应用场景。
3. TOLL 封装具有卓越的散热性能，支持更小的 PCB 占用面积。
4. 宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下可靠运行。
5. 快速开关能力，有助于降低开关损耗并提升系统效率。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
这些特点使得 MMT05B260T3G 成为众多高要求电力电子应用的理想选择。
MMT05B260T3G 主要应用于以下领域：
1. 汽车 DC-DC 转换器
2. 电机控制和驱动
3. 工业电源供应
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源 (UPS)
6. 电动车充电基础设施
其强大的性能和可靠性，特别适合需要高功率密度和高效能的场景。
BSC056N06NS5
IPW100R060C6
IXFN120N25T2
