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MMSZ8V2T1G 发布时间 时间:2025/5/7 13:02:22 查看 阅读:4

MMSZ8V2T1G是一种硅雪崩整流二极管,属于Micro Commercial公司的产品系列。这种二极管主要用于瞬态电压抑制(TVS)应用,能够保护敏感的电子设备免受电压尖峰的影响,如静电放电(ESD)、感应负载切换和雷击等造成的电压浪涌。
  该器件具有快速响应时间、低泄漏电流以及高能量吸收能力的特点,适合于各种工业、通信和消费类电子设备中的电路保护。

参数

最大反向工作电压:8.2V
  击穿电压:8.8V
  最大峰值脉冲功率:600W
  钳位电压:18.8V
  反向漏电流:1uA
  结电容:3pF
  响应时间:1ps

特性

MMSZ8V2T1G采用了先进的雪崩整流技术,具备以下特点:
  1. 快速响应:能够在皮秒级别内对电压浪涌做出反应,从而有效地保护下游电路。
  2. 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
  3. 小型封装:节省空间,易于集成到紧凑型设计中。
  4. 低电容:减少对信号完整性的干扰,特别适用于高频电路。
  5. 宽温范围:支持-55°C至+150°C的工作温度范围,适应多种应用场景。

应用

MMSZ8V2T1G广泛应用于需要电压保护的各类场景,包括但不限于:
  1. 数据通信接口保护,例如RS-232、RS-485和USB端口。
  2. 工业控制系统中的信号线保护。
  3. 消费电子产品中的ESD防护。
  4. 电源输入端的过压保护。
  5. 天线端口的雷击防护。
  其高性能和广泛的适用性使得该器件成为众多设计工程师的理想选择。

替代型号

P6KE8.2CA, SMAJ8.2A, SMBJ8.2A

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MMSZ8V2T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电700nA @ 5V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)15 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MMSZ8V2T1GOSDKR