时间：2025/8/14 23:08:54
阅读：10
MMSZ5251A 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用SOD-123封装，适用于便携式电子设备、电源管理系统以及需要低功耗和高稳定性的电路中。MMSZ5251A的标称齐纳电压为5.1V，具有较低的动态电阻和良好的温度稳定性，能够在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：5.1V
最大齐纳电流：200mA
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123
最大反向漏电流（@ VR）：100nA（典型值）
动态电阻（Zzt）：40Ω（最大）
温度系数：+2.5mV/°C（典型值）
MMSZ5251A 齐纳二极管具有多个关键特性，适用于多种电子电路中的电压基准和调节应用。
首先，MMSZ5251A 的标称齐纳电压为 5.1V，这一电压值在许多模拟和数字电路中被广泛使用，例如作为基准电压源、稳压电路、过压保护电路等。其电压精度较高，能够在额定电流范围内保持良好的稳定性。
其次，该器件的最大齐纳电流为 200mA，允许在较高电流下工作，适合需要一定功率处理能力的电路。功率耗散能力为 300mW，确保在小型SOD-123封装下仍能保持良好的散热性能。
MMSZ5251A 采用 SOD-123 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于便携式设备、通信模块、传感器电路等对空间敏感的应用场景。
此外，MMSZ5251A 具有较低的动态电阻（Zzt），最大为 40Ω，这意味着在负载电流变化时，输出电压的波动较小，有助于提高系统的稳定性。同时，该器件的温度系数为 +2.5mV/°C（典型值），表现出良好的温度稳定性，适用于对温度漂移敏感的应用。
最后，MMSZ5251A 的最大反向漏电流为 100nA（典型值），在非工作状态下能够保持极低的功耗，这对于电池供电设备尤为重要。
MMSZ5251A 主要应用于需要稳定电压参考或电压调节的电子电路中。
最常见的应用是作为电压基准源，为运算放大器、ADC/DAC、比较器等模拟电路提供精确的参考电压。由于其齐纳电压为 5.1V，正好适用于 TTL 和 CMOS 逻辑电平的参考需求。
此外，MMSZ5251A 可用于电源管理电路中的稳压功能，特别是在低功耗系统中作为简单的稳压元件。例如，在电池供电设备中，它可以用于限制电池电压波动对后续电路的影响。
在保护电路中，MMSZ5251A 可作为过压保护器件，防止瞬态高压对敏感电子元件造成损害。例如，在 USB 接口、传感器输入端或通信线路中，它可以吸收电压尖峰，保护后级电路。
该器件还常用于信号调理电路，如电压钳位、电平转换等场合。例如，在音频电路中用于防止信号过载，在传感器电路中用于限制输入电压范围。
由于其封装小巧，MMSZ5251A 也广泛应用于移动设备、穿戴式电子产品、工业控制系统、汽车电子模块等对空间和功耗有严格要求的场合。
MMSZ5251B, 1N4733A, BZX84-C5V1, ZMM5251
