MMSZ5241B T/R 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),属于稳压二极管的一种。该器件主要用于电路中的电压参考、电压调节和保护功能,适用于需要高稳定性和低功耗的应用场景。MMSZ5241B采用SOD-123封装,适用于自动贴片工艺,便于在PCB上安装。T/R表示该器件是以卷带(Tape and Reel)形式供应,适合自动化生产和批量应用。
类型:齐纳二极管
最大齐纳电压(Vz):11.0 V
齐纳电流(Iz):20 mA
最大耗散功率(Pd):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOD-123
极性:单向
最大反向漏电流(Ir):100 nA(在 Vr=10V 时)
齐纳电压公差:±2%
MMSZ5241B T/R 具有高稳定性和良好的温度特性,齐纳电压公差为 ±2%,确保在各种工作条件下提供精确的电压参考。其SOD-123封装形式具有体积小、重量轻、机械强度高的特点,适用于高密度PCB设计。该器件的功耗较低,最大可达300mW,适用于低功耗系统设计。此外,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在恶劣环境中稳定工作,广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备等领域。
该器件还具有快速响应时间,能够在电压突变时迅速进入稳压状态,保护后级电路免受过压损害。其表面贴装封装支持回流焊工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。MMSZ5241B T/R的低漏电流特性(在反向偏置下仅为100nA)也使其在低功耗和高精度电路中表现出色。
MMSZ5241B T/R 主要用于电源管理、电压参考、模拟电路偏置、ADC/DAC参考电压、过压保护电路以及信号调节电路中。其稳定的齐纳电压使其在传感器信号调理、精密放大器偏置、电池管理系统(BMS)、嵌入式系统电源监控等领域有广泛应用。此外,该器件也可用于数字电路中的电压钳位和ESD保护,提高系统可靠性。
MMBZ5241B, BZV55-B11, MMSZ5241BLT1G