MMSZ5235B T/R 是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),属于MMSZ52xx系列。该系列齐纳二极管专为低功耗应用设计,具有小尺寸SOD-123封装,适用于各种电压参考和稳压电路。MMSZ5235B的标称齐纳电压为6.8V,最大耗散功率为200mW。T/R表示该器件是以卷带(Tape and Reel)形式提供的,适合自动化贴片生产。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOD-123
标称齐纳电压:6.8V
最大耗散功率:200mW
最大齐纳电流:20mA
最大反向漏电流(VR):100nA(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
MMSZ5235B T/R 具有以下几个显著特性:
首先,其采用SOD-123封装,体积小巧,适合在空间受限的电路板上使用。该封装还具有良好的热性能,有助于快速散热,确保器件在较高功耗下稳定工作。
其次,MMSZ5235B的齐纳电压公差较小,通常在±5%以内,使其在需要精确电压参考的应用中表现优异。该器件的动态阻抗较低,有助于减少电压波动,提高稳压精度。
此外,该齐纳二极管的反向漏电流非常低,在未击穿状态下几乎可以忽略不计,这对低功耗和高精度模拟电路尤为重要。
最后,MMSZ5235B T/R符合RoHS标准,无铅环保,适用于工业级和消费类电子产品。
MMSZ5235B T/R 广泛应用于需要稳定电压参考的电路中。典型应用包括电源稳压电路中的基准电压源、ADC/DAC参考电压、电池供电设备中的低功耗电压调节、过压保护电路以及信号调理电路中的限幅和钳位功能。
此外,由于其封装小巧和性能稳定,该器件也常用于便携式电子设备、传感器接口电路、嵌入式系统和工业控制系统中。
MMSZ5235BLT1G, MMSZ5235BWT1G, 1N4735A, BZX84C6V8