时间：2023/4/10 10:36:08
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MMSZ5231BT1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V)：4.850
齐纳击穿电压Vz典型值(V)：5.100
齐纳击穿电压Vz最大值(V)：5.360
@Izt(mA)：20
齐纳阻抗Zzt(Ω)：17
最大功率PMax(W)：0.500
芯片标识：E1
封装/温度(℃)：SOD123/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
