MMSZ13T1是一种常见的玻璃外壳封装的齐纳二极管,主要用作电压基准、稳压和过压保护。该器件具有出色的稳定性和可靠性,适用于各种低功率电路中的电压调节和参考应用。
齐纳二极管的核心特性在于其反向击穿区域可以稳定地工作,并维持一个恒定的电压值。MMSZ13T1通常被设计为在小信号电路中提供高精度的电压基准,同时具备紧凑的外形尺寸和良好的温度稳定性。
型号:MMSZ13T1
封装:DO-35 (SOD-323)
齐纳电压(Vz):13V
最大齐纳电流(Izmax):65mA
功耗(PD):400mW
工作温度范围:-55℃ to +150℃
漏电流(IZR):10uA at 11.05V
动态阻抗(Zz):约18Ω at Iz=27mA
MMSZ13T1采用玻璃封装技术,使其具有高度的可靠性和耐潮湿能力。它的齐纳电压精确度较高,适合于精密电压参考场景。此外,该器件的工作温度范围较广,能够适应各种恶劣环境下的应用需求。
由于其小型化的封装形式(DO-35),这种齐纳二极管非常适合用于空间受限的电路设计。另外,它还拥有较低的动态阻抗,从而保证了在不同负载条件下的电压稳定性。在高频和低噪声应用中,MMSZ13T1也能表现出色。
MMSZ13T1广泛应用于需要电压调节或参考的电子设备中,例如:
1. 稳压电源电路中的二次稳压元件。
2. 过压保护电路中的关键组件。
3. 模拟和数字电路中的参考电压源。
4. 通信设备中的信号电平控制。
5. 各种消费类电子产品中的保护电路。
6. 工业自动化设备中的信号调理电路。
7. 医疗设备中的精密电压测量和控制。
MMSZ13T1G
MMSZ13T1B
1N5231B