MMSZ11T1G 时间：2025/7/15 19:40:56 阅读：5

MMSZ11T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装齐纳二极管（稳压二极管），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用SOD-123封装，具有小尺寸、低功耗和高稳定性的特点，适用于便携式电子产品、电源管理电路以及各种低电流稳压需求的场景。

参数

稳压值：11V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　引脚数：2

特性

MMSZ11T1G齐纳二极管具备多项优良特性：
　　首先，其稳压值为11V，容差为±5%，能够在输入电压波动的情况下提供相对稳定的输出电压，确保电路正常工作。
　　其次，该器件的最大耗散功率为300mW，能够在一定负载条件下保持良好的热稳定性，并具备一定的过载能力。
　　MMSZ11T1G采用了SOD-123封装，体积小巧，适合用于空间受限的印刷电路板（PCB）设计中，同时也便于自动化生产和焊接工艺。
　　此外，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，提高了系统的可靠性和适应性。
　　该齐纳二极管的结构设计优化了反向击穿特性，使其在稳压区域内的动态电阻较低，响应速度快，能有效抑制电压瞬态干扰。
　　最后，由于其低漏电流和快速响应特性，MMSZ11T1G也常用于ESD（静电放电）保护和信号线路的电压钳位保护。

应用

MMSZ11T1G广泛应用于多种电子设备中，例如：
　　在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为参考电压源或稳压器使用。
　　在电源管理系统中用于电压监控和基准电压生成。
　　在工业控制系统和传感器电路中用于电压限制和保护，防止因过电压而损坏敏感元器件。
　　在通信设备中用于信号线路的电压钳位和浪涌保护，提升系统的抗干扰能力。
　　还可用于电池供电系统中的低功耗稳压应用，延长电池使用寿命。
　　由于其紧凑的封装形式，也适用于需要高密度布线的嵌入式系统和汽车电子模块中。