类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：80至600（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23

MMST5551W-C的主要特性之一是其高电流增益，这使得它在信号放大应用中表现出色。该晶体管的hFE值范围较宽，从80到600，具体数值取决于集电极电流的大小，因此可以适应多种设计需求。此外，MMST5551W-C具有良好的频率响应，其过渡频率（fT）高达100MHz，适合用于高频放大电路。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为150V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源条件下的电路设计。最大集电极电流为100mA，虽然属于低功率晶体管，但在信号处理和小型电子设备中已经足够使用。MMST5551W-C的SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化装配，适合大批量生产。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适用于工业级和消费级电子产品。此外，MMST5551W-C的功耗为300mW，在低功耗设计中也具有优势，有助于提高设备的能效。

MMST5551W-C广泛应用于多种电子电路中，特别是在需要信号放大的场合。例如，在音频放大器中，它可以用于前级放大，将微弱的音频信号进行初步放大。此外，该晶体管也常用于射频（RF）放大电路，特别是在100MHz以下的频率范围内，MMST5551W-C能够提供良好的增益和稳定性。
　　在数字电路中，MMST5551W-C可以作为开关元件使用，控制负载的通断。例如，在LED驱动电路或继电器控制电路中，它可以通过基极电流控制较大的集电极电流，从而实现对负载的高效控制。由于其SOT-23封装体积小，因此在便携式设备和嵌入式系统中也常用于各种信号处理和电源管理电路。
　　此外，MMST5551W-C还适用于传感器接口电路，如将传感器输出的模拟信号进行放大，以便后续处理。在消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中，该晶体管都有广泛的应用。

BC547, 2N3904, PN2222A