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MMST4403T146 发布时间 时间:2025/5/20 22:23:47 查看 阅读:3

MMST4403T146 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺制造的双极性晶体管,广泛应用于射频和高频电路设计。该器件具有出色的增益性能、低噪声系数以及较高的线性度,适用于无线通信系统中的低噪声放大器 (LNA)、混频器以及其他高频信号处理模块。
  该晶体管在高频条件下表现出优异的稳定性,并且其封装形式紧凑,适合于空间受限的应用环境。

参数

集电极-发射极电压:25V
  集电极电流:200mA
  频率范围:DC - 4GHz
  增益带宽积:15GHz
  噪声系数:1.1dB
  封装类型:SOT-343

特性

MMST4403T146 晶体管的核心特性在于其卓越的高频性能和低噪声表现,使其成为射频前端设计的理想选择。以下详细描述了该晶体管的关键特点:
  1. 高频率操作能力:支持高达 4GHz 的工作频率范围,确保其能够满足现代通信系统的宽带需求。
  2. 低噪声系数:仅 1.1dB 的噪声系数保证了信号传输过程中的高质量和高保真度。
  3. 稳定性:即使在高频条件下,该晶体管依然能够保持稳定的输出增益,避免因温度或负载变化而引起的性能波动。
  4. 小型化封装:采用 SOT-343 封装,体积小巧,非常适合便携式设备和其他对空间要求严格的场景。
  5. 易于集成:与多种射频组件兼容,简化了设计流程并降低了整体系统复杂性。

应用

MMST4403T146 主要用于需要高性能射频信号处理的领域,包括但不限于:
  1. 无线通信:适用于 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等移动通信标准中的低噪声放大器设计。
  2. 蓝牙和 Wi-Fi:为短距离无线技术提供高效的信号增强功能。
  3. 卫星通信:参与卫星地面站接收机中的关键信号放大部分。
  4. 测试测量设备:如频谱分析仪、网络分析仪等,提升测试精度和动态范围。
  5. 医疗电子:例如超声波设备中的高频信号处理单元。

替代型号

MMSA1047T146, BFP740

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MMST4403T146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,1V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMST4403T146TR