您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMSS8050-H-TP

MMSS8050-H-TP 发布时间 时间:2025/4/27 12:29:57 查看 阅读:26

MMSS8050-H-TP是一款高性能的NPN小信号晶体管,广泛应用于各种电子设备中。该晶体管具有低噪声、高增益和快速开关特性,适用于高频放大和开关电路。它采用了TO-92封装形式,体积小巧且散热性能良好。
  该型号中的‘-H-TP’后缀表明其为一种经过改进优化的产品,主要针对更高的可靠性和热稳定性进行了设计调整。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):150mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散(Ptot):350mW
  过渡频率(ft):300MHz
  结温范围(Tj):-55℃~150℃
  存储温度范围(Tstg):-65℃~150℃

特性

1. 高频响应能力使其非常适合于射频(RF)应用以及高速数字电路。
  2. 良好的热稳定性和可靠性保证了其在恶劣环境下的长期使用。
  3. TO-92封装提供了紧凑的外形尺寸,同时便于安装和焊接。
  4. 具备出色的线性表现,在音频放大器等模拟电路中表现出色。
  5. 与多种传统NPN晶体管兼容,简化了替代过程。

应用

1. 音频放大器和前置放大器中的增益级设计。
  2. 射频模块和无线通信系统中的信号处理。
  3. 数字逻辑电路中的开关元件。
  4. 测量仪器和传感器接口中的信号调节。
  5. 电源管理电路中的保护和控制功能实现。
  6. 工业自动化和消费类电子产品中的各类驱动电路。

替代型号

MMBT8050, 2SC1815, BC847B

MMSS8050-H-TP推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMSS8050-H-TP资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMSS8050-H-TP参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 80mA,800mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMSS8050-H-TP-NDMMSS8050-H-TPMSTRQ6289485