时间：2025/9/4 2:11:09
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MMSF4N01HDR2是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。MMSF4N01HDR2封装为SOT-223，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（在Vgs=4.5V时）
功率耗散（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-223
MMSF4N01HDR2具有多项优异特性，能够满足多种功率应用的需求。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件采用Trench沟槽技术，有助于优化电场分布，提升击穿电压稳定性。MMSF4N01HDR2具有快速开关特性，可有效减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。此外，该MOSFET的SOT-223封装形式具有良好的散热性能，同时占用电路板空间较小，非常适合空间受限的设计。该器件还具备较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
MMSF4N01HDR2常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其高效能和紧凑封装，特别适合应用于笔记本电脑、智能手机、电源适配器以及小型电源模块等消费类电子产品。
Si2302DS, AO3400A, IRML2802, FDS6680
