类型：PIN二极管
　　最大反向电压：100 V
　　最大正向电流：500 mA
　　结电容（@ 1 MHz）：0.35 pF
　　串联电阻：1.8 Ω
　　热时间常数：300 ns
　　封装类型：SOD-323
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-65 °C 至 +175 °C
　　峰值功率处理能力：30 W（典型值，取决于驱动条件）

MMS73-821MT作为一款高性能的射频PIN二极管，具备多项关键特性，使其在高频和微波电路中表现出色。首先，其极低的结电容（典型值为0.35 pF @ 1 MHz）确保了在GHz频段下的低信号衰减和高阻抗匹配能力，特别适用于高达6 GHz以上的宽带应用环境。这种低电容特性使得该二极管在射频开关设计中能显著降低插入损耗，同时提高系统的频率响应平坦度。
　　其次，该器件拥有较低的串联电阻（典型值为1.8 Ω），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效，并支持更高的电流承载能力。这对于需要频繁切换或长时间工作的射频开关和可变衰减器尤为重要。此外，MMS73-821MT的热时间常数为300纳秒，表明其具有快速的载流子响应速度，能够在高速调制或脉冲应用中实现迅速的开关转换，满足现代通信系统对动态响应的要求。
　　该二极管的最大反向电压可达100V，使其在高压瞬态环境下仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。同时，它支持高达500mA的正向持续电流，适用于中等功率级别的射频信号控制。其SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适合在高密度布局的射频模块中使用。
　　在环境适应性方面，MMS73-821MT可在-55°C至+150°C的极端温度范围内可靠运行，符合严苛工业和户外设备的工作需求。器件还通过了无铅和RoHS合规认证，支持环保生产工艺。由于采用了成熟的硅外延工艺，该二极管具有出色的批次一致性与长期可靠性，降低了系统调试难度和维护成本。

MMS73-821MT主要应用于各类高频和微波电子系统中，尤其适用于需要高效射频信号控制的场景。其典型应用包括蜂窝通信基站中的天线调谐和射频开关模块，在这些系统中，该二极管用于实现多频段天线之间的快速切换，优化信号接收与发射性能。此外，在无线基础设施如4G LTE和5G NR前端模块中，MMS73-821MT可用于双工器、滤波器调谐电路以及可重构匹配网络，帮助提升频谱利用率和传输效率。
　　在测试与测量设备领域，该器件常被集成于自动测试设备（ATE）、矢量网络分析仪和频谱仪的内部射频路径中，作为高精度衰减器或保护开关使用，以防止高功率信号损坏敏感的接收前端。其低失真和高线性度特性确保了测量结果的准确性。
　　在雷达和电子战系统中，MMS73-821MT可用于构建高速射频开关阵列，实现波束成形和通道选择功能。其快速响应时间和高功率耐受能力使其能够在脉冲雷达环境中稳定工作。此外，该二极管也适用于卫星通信终端、毫米波回传链路和航空航天电子系统中的射频控制单元。
　　由于其小型化封装和表面贴装特性，MMS73-821MT非常适合用于便携式无线电设备、无人机通信模块和物联网网关等对体积和功耗敏感的应用场合。无论是民用还是军用平台，该器件都能提供可靠的射频信号管理解决方案。

MMD3902, SMPD3-821, SMS7621, MA4P7470