时间：2025/6/11 16:15:59
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MMPF0200F6AEP 是一款高性能的 MOSFET 功率场效应晶体管，采用小型封装设计，适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
它属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够在高频条件下高效运行，并支持大电流负载。此外，MMPF0200F6AEP 还具有优异的热稳定性和耐用性，适用于严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻：2mΩ
栅极电荷：18nC
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（2mΩ），显著降低导通损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频应用。
3. 小型封装（SOT-223），节省电路板空间。
4. 支持高达 4.7A 的连续漏极电流，满足大功率需求。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
6. 内置保护功能，提高器件可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 充电器和电池管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
MMPF0200F6AEP-L, IRFZ44N, FDP5580
