时间：2025/8/7 11:03:16
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MMP65R380Q是一款由MPS（Monolithic Power Systems）生产的高性能功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用了先进的屏蔽栅（Shielded Gate）技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，从而提升整体能效。MMP65R380Q适用于诸如服务器电源、电信电源、适配器、DC-DC转换器等高功率密度应用场景。该器件采用行业标准的封装形式，便于在现有设计中进行替换和集成。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：380mΩ（最大值）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
MMP65R380Q采用了MPS独有的屏蔽栅技术，这项技术显著降低了器件的开关损耗和导通损耗，从而提升了整体的能效。此外，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）仅为380mΩ，确保了在高电流应用中的稳定性能，同时减少了热生成。MMP65R380Q具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过电压情况下的可靠性。
该器件的栅极设计优化了输入电容和反向恢复特性，使得在高频开关应用中表现出色，同时降低了电磁干扰（EMI）。此外，其高栅极氧化层稳定性确保了在极端工作条件下的长期可靠性。
MMP65R380Q还具有良好的热管理性能，其封装设计能够有效地将热量从芯片传导出去，降低了温升对性能的影响，延长了器件的使用寿命。这使得该MOSFET在高功率密度应用中表现尤为出色。
MMP65R380Q广泛应用于多种高效率电源转换系统中，包括服务器电源、通信电源、AC-DC适配器、DC-DC转换器以及工业电源设备。其高效的能量转换能力和优异的热管理性能使其成为需要高可靠性和高性能的电源系统的理想选择。此外，该器件也适用于电动汽车充电器、储能系统和智能电网设备等新兴应用领域。
MDP65R380SG，STF65R380Z，IPW65R380CFD7
