类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：56nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

MMO90-14N06 具备多项先进特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，从而降低了开关损耗。
　　其高电流承载能力（高达90A）使其适用于高功率密度设计，同时其封装设计提供了良好的热管理，确保在高温环境下也能稳定运行。PowerFLAT 5x6封装不仅有助于散热，还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
　　该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护，从而提高系统的可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于多种严苛环境条件下的应用，包括工业控制和汽车电子领域。
　　此外，MMO90-14N06 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，从而提高开关速度并降低功耗。这些特性共同构成了一个高效、可靠的功率开关解决方案，适用于现代电子设备中的各种功率管理任务。

MMO90-14N06 广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的高效率和高可靠性使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。

STL90N4LF2、IRF1405、SiR142DP