MMIX4G20N250 时间：2025/8/5 20:26:37 阅读：29

MMIX4G20N250是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频率的电力电子应用。这种器件具备低导通电阻、高耐压能力以及快速开关特性，使其非常适合在电源转换器、电机驱动器和电池管理系统中使用。MMIX4G20N250采用先进的硅技术，确保在高工作温度下依然保持稳定性能。

参数

类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流：20A
　　最大漏-源电压：250V
　　导通电阻：典型值约为0.15Ω
　　栅极电荷：约30nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247
　　热阻：结到壳约1.0°C/W

特性

MMIX4G20N250具备多项优良特性，包括高耐压能力，使其能够在高压环境下稳定工作；低导通电阻降低了导通损耗，从而提高系统效率并减少发热；快速开关特性减少了开关损耗，有助于提高工作频率和降低能量损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温条件下长期运行而不会显著影响性能。其先进的硅技术和优化的封装设计确保了良好的散热性能，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。该MOSFET还具有良好的抗短路能力和优异的雪崩击穿保护功能，进一步增强了其在恶劣工作环境中的稳定性。
　　在应用方面，MMIX4G20N250广泛用于各种高功率电子设备，如DC-DC转换器、AC-DC电源模块、逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具和电动汽车控制系统等。它也可用于高频率开关应用，例如感应加热和射频功率放大器。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业自动化、能源管理和汽车电子领域的理想选择。