MMIX1T550N055T2 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的功率模块,主要用于高功率密度和高效能的电力电子应用中。该模块属于MIXDUAL系列,采用先进的SiC(碳化硅)技术,适用于电动汽车(EV)、工业电机驱动、可再生能源系统等需要高效率、高可靠性和高集成度的场合。
类型:SiC MOSFET 功率模块
最大集电极-发射极电压(VCES):550V
最大集电极电流(IC):550A
工作温度范围:-40°C 至 +175°C
封装类型:MIXDUAL?
技术:碳化硅(SiC)MOSFET
MMIX1T550N055T2 功率模块采用了英飞凌先进的碳化硅(SiC)MOSFET技术,具备优异的导通和开关性能。相比传统的硅基IGBT模块,该模块在高频开关应用中表现出更低的开关损耗和更高的效率。模块的MIXDUAL封装结构不仅提供了良好的热管理性能,还具备紧凑的设计,便于集成到高功率密度系统中。此外,该模块具备良好的短路耐受能力和高可靠性,能够在严苛的工作条件下稳定运行。
模块的内部结构采用了双面散热设计,提升了散热效率,降低了系统的热阻。同时,其封装材料和工艺符合RoHS标准,具有良好的环保性能。MMIX1T550N055T2 还具备良好的电磁兼容性(EMC),适用于高噪声环境中的电力电子系统。由于SiC材料的宽禁带特性,模块能够在更高的温度下工作,减少了对复杂冷却系统的需求,从而降低了整体系统的成本和复杂度。
MMIX1T550N055T2 功率模块广泛应用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车的主驱逆变器、车载充电器(OBC)、工业电机驱动器、光伏逆变器以及储能系统等。在电动汽车领域,该模块可用于提升电机驱动系统的效率并延长续航里程;在工业电机驱动中,该模块能够实现更高的开关频率,从而减小滤波器和电感元件的体积;在光伏逆变器中,该模块的高效性能有助于提高能量转换效率,降低系统损耗。
IMZ120R048M1H008, V23990-P429-F81-PMI