类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：20 A
　　漏极-源极击穿电压 (VDS)：30 V
　　栅极-源极电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：20 mΩ（典型值）
　　最大功耗 (PD)：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　工艺技术：TrenchFET

MMFTN3404A 采用了先进的沟槽式（TrenchFET）技术，具有极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其能够处理较大的负载电流，适合用于高功率密度的设计中。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平（如 5V 和 10V）驱动，提高了设计的灵活性。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和良好的热性能，能够承受较高的工作温度而不影响性能。
　　该器件的封装形式为 PowerPAK SO-8，这是一种小型化的表面贴装封装，具有优良的散热性能和空间利用率，适用于高密度 PCB 布局。MMFTN3404A 还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的瞬态过电压，提高了系统的可靠性。
　　在高频开关应用中，该 MOSFET 的开关速度较快，能够有效降低开关损耗，提高整体系统的效率。同时，其较低的输入电容和输出电容也有助于减少开关过程中的能量损失。

MMFTN3404A 广泛应用于多种功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、负载开关以及电池管理系统等。由于其高效率和小型化封装，特别适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备、工业自动化设备以及电动汽车的电子控制系统中。

Si4406BDY, FDS4410AS, IRF7404, FDS6680, NVTFS5C471NL