MMFTN20 时间：2025/7/23 1:02:42 阅读：8

MMFTN20 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率转换和开关应用中。该器件采用先进的平面技术，提供了优异的导通性能和热稳定性，适用于中高功率需求的电路环境。MMFTN20 具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池充电系统等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：5.6A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：35W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK（取决于具体版本）

特性

MMFTN20 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件能够在高电压（200V）下工作，并且具备较高的电流承载能力（5.6A），适用于中高功率应用场景。
　　此外，MMFTN20 具备良好的热稳定性，采用了高热导率的封装设计，能够有效散发工作时产生的热量，从而延长器件的使用寿命。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动设计，并确保在各种应用条件下都能稳定工作。
　　该 MOSFET 还具有快速开关能力，能够在高频率下运行，适用于 DC-DC 转换器、PWM 控制器和开关电源等高频应用。由于其高耐压特性，MMFTN20 也适用于需要较高电压隔离的工业控制系统。
　　在可靠性方面，MMFTN20 设计有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定，从而提高整体系统的鲁棒性。

应用

MMFTN20 广泛应用于多个领域，尤其是在需要中高功率开关和控制的电路中。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统、充电器、逆变器以及工业自动化控制系统。
　　在电源管理方面，该 MOSFET 可用于高效能电源模块的主开关元件，帮助提高转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，MMFTN20 可作为 H 桥电路中的功率开关，控制直流电机的正反转和调速。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统中的充放电控制电路，利用其低导通电阻和高耐压特性来确保系统的稳定性和安全性。在光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，MMFTN20 也能作为关键的功率转换元件，实现高效的电能转换。