类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　工艺技术：Trench沟槽型

MMFTN138AK具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为18mΩ，这在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的漏源电压为30V，适用于中低压功率转换应用，如DC-DC转换器和电池管理系统。其栅源电压为±20V，表明该MOSFET具有良好的栅极保护能力，能够承受较高的驱动电压，确保稳定运行。
　　其次，MMFTN138AK采用了Trench沟槽工艺技术，使器件在保持高电流密度的同时，具备较低的开关损耗和优异的热性能。其连续漏极电流可达16A，适用于中高功率负载的应用场景，如电机控制、电源开关和负载管理。此外，该MOSFET的功耗为2.5W，结合TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高环境温度下可靠运行。
　　在可靠性方面，MMFTN138AK支持-55°C至150°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。其封装形式（TO-220）为标准功率封装，便于安装和散热设计，广泛用于各类电源模块和功率电路中。

MMFTN138AK主要应用于需要高效功率控制和转换的电子设备中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。该MOSFET的高电流能力和低导通电阻使其在高效率电源设计中表现出色，例如在笔记本电脑、服务器电源、工业控制设备、LED照明系统和消费类电子产品中均有广泛应用。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，MMFTN138AK也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、电池保护电路和车载电源管理系统。在电机控制和自动化系统中，该器件可用于H桥驱动、PWM控制和功率调节电路。

Si4410BDY, FDS4410A, IRF3710, FQP30N06L