MMFTN123是一款高性能的MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子电路设计。
MMFTN123属于N沟道增强型场效应晶体管,其封装形式通常为TO-220或SMD表面贴装类型(如DPAK或DFN),具体取决于制造商的设计规范。该型号以其出色的电气特性和耐用性而著称,是许多现代电子系统中的关键组件。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:5A
导通电阻:40mΩ
功耗:10W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220, DPAK, DFN
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致。
4. 内置ESD保护功能,增强了器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 小型化封装选项支持紧凑型电路板设计,同时具备优秀的散热性能。
这些特性使得MMFTN123成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中用于升降压调节。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 智能家居设备中的负载切换。
5. 工业自动化系统中的信号隔离与功率传输。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
由于其强大的电气性能和可靠性,这款MOSFET在消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等领域均表现出色。
MMFTN123G, IRFZ44N, FDP5802