时间：2025/8/2 6:51:01
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MMFT2955ET1G是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（onsemi）生产。该器件专为高电流和高效率应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。MMFT2955ET1G采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具有较高的额定电压和电流能力，适用于中高功率应用。封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，适合表面贴装。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.044Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：DPAK (TO-252AD)
MMFT2955ET1G具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其导通电阻在Vgs=10V时仅为0.044Ω，这使得该器件在大电流应用中表现出色，减少了功率损耗和发热。此外，该MOSFET采用先进的沟槽式技术，使导通电阻与栅极电荷（Qg）之间达到良好的平衡，从而提高开关性能。
其次，MMFT2955ET1G的额定漏源电压为60V，连续漏极电流为15A，能够满足中高功率应用场景的需求。由于其高电流能力，该器件可广泛用于DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统和马达控制等应用。
再次，该MOSFET采用DPAK（TO-252）封装，具备良好的散热能力，适用于表面贴装工艺，提高生产效率并降低制造成本。同时，该封装形式具有较高的机械强度和可靠性，适合在恶劣环境下工作。
最后，该器件的栅源电压最大为±20V，具有较强的抗过压能力，提高了使用的安全性。MMFT2955ET1G的工作温度范围为-55°C至+175°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场合。
MMFT2955ET1G适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等。
IRFZ44N, FDP6030L, FQP30N06L, NTD4858N
