时间：2025/12/28 12:21:51
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MMF65R190PTH是一款由英飞凌（Infineon Technologies）生产的功率MOSFET，主要用于高效率功率转换和管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统和工业电机控制等应用。MMF65R190PTH采用了TO-220封装，适合高功率密度设计，同时具备良好的散热能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：19A
导通电阻（Rds(on)）：0.19Ω
栅极电荷（Qg）：34nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
MMF65R190PTH具有多项优异特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.19Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，在650V电压下可支持19A的漏极电流，适用于高功率应用。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提升了开关性能，降低了开关损耗，有助于提高整体能效。在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，MMF65R190PTH具备较强的抗雪崩能力，增强了器件在高应力环境下的可靠性。该MOSFET的栅极驱动要求适中，兼容常见的12V和15V驱动电路，方便工程师进行设计和应用。由于其封装形式标准化，便于安装和散热片连接，适用于各种工业级电源应用。
MMF65R190PTH广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路。在电源适配器、LED驱动电源和工业自动化控制设备中也常见其身影。此外，该器件适用于需要高效能、高可靠性和高功率密度的场合，如电动汽车充电设备、储能系统和智能电网相关设备。由于其优异的开关性能和热管理能力，MMF65R190PTH也常用于高频功率转换器设计，以实现更高的效率和更小的体积。
IPP65R190CFD, STF19N65M5, FDPF19N65S
