晶体管类型：NPN 双晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：150 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：150 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：80-600（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MMDT5551 K4N 是一款高性能双NPN晶体管，专为需要高稳定性和高频响应的应用而设计。其封装采用SOT-363小型化表面贴装形式，非常适合空间受限的电路设计。该器件的两个晶体管共享相同的电气特性，可以在电路设计中实现对称性和一致性，从而提高电路的性能。晶体管具有较高的频率响应（fT=100MHz），使其适用于射频和中频放大器电路。
　　此外，MMDT5551 K4N 具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种电子设备中的信号处理和开关控制。其最大集电极-发射极电压为150V，适合高压应用场合。该器件的低功耗特性也使其在便携式设备中表现出色。晶体管的hFE值范围广泛（80-600），用户可以根据具体需求选择不同等级的产品，以优化电路性能。
　　该晶体管的封装设计支持自动贴片工艺，提高了生产效率并降低了制造成本。MMDT5551 K4N 在设计时考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于减少电路中的噪声和干扰，提高系统的稳定性。

MMDT5551 K4N 常用于以下应用领域：
　　1. 高频放大器电路：由于其高频特性，适用于射频和中频信号的放大。
　　2. 开关电路：可用于数字电路中的高速开关应用。
　　3. 电源管理电路：在低功耗电源管理系统中作为控制元件。
　　4. 传感器电路：用于信号放大和处理。
　　5. 通信设备：如无线通信模块、基站设备等。
　　6. 工业控制系统：用于PLC、传感器接口等。
　　7. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、音频放大器等。

MMBT5551LT1G, MMBT5551DW1T1G, 2N5551, BCX55