时间：2025/5/31 1:26:58
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MMDT5451-TP是一款双通道NPN晶体管阵列，采用微型SOT-363封装。该器件设计用于低功耗和空间受限的应用场景，广泛应用于消费电子、通信设备及便携式产品中。其高集成度和小型化特性使得它成为替代分立晶体管的理想选择。
该晶体管阵列内部集成了两个独立的NPN晶体管，每个晶体管都具有独立的基极、集电极和发射极引脚，允许灵活的电路设计。此外，MMDT5451-TP具备出色的开关性能和低饱和电压，适用于信号放大和开关应用。
封装：SOT-363
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
集电极电流（IC）：200mA
功率耗散（Ptot）：175mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
直流电流增益（hFE）：最小值100，典型值300
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
1. 高集成度的双NPN晶体管结构
2. 超小型SOT-363封装，节省PCB空间
3. 低饱和电压，提升效率
4. 高直流电流增益，确保稳定信号放大
5. 宽工作温度范围，适应多种环境
6. 符合RoHS标准，环保设计
1. 移动设备中的电源管理
2. 消费类电子产品中的信号切换
3. 音频设备中的小信号放大
4. 工业控制中的逻辑电平转换
5. 数据通信中的开关电路
6. 电池供电设备中的低功耗控制
MMBT5451-TP, MMBT5451L, MMBT5451LT1G
