MMDT5401是一款双通道NPN晶体管阵列,广泛应用于模拟和数字电路中。它采用微型SOT-363封装,具有低饱和电压、高增益和高开关速度的特性。该器件适合用于信号放大、开关电路以及多路复用器等应用场合。
由于其小型化设计和高性能参数,MMDT5401在便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品中得到了广泛应用。
集电极-发射极击穿电压:30V
集电极-基极击穿电压:30V
发射极-基极击穿电压:5V
连续集电极电流:200mA
总功耗:270mW
直流电流增益:最小100,典型300
存储温度范围:-55℃至+150℃
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高性能NPN双晶体管集成在一个芯片上。
2. 小型SOT-363封装节省空间,适用于紧凑型设计。
3. 具有低饱和电压,能够实现高效的开关操作。
4. 高增益确保了信号放大的稳定性。
5. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。
6. 可靠性高,满足工业级和消费级应用需求。
1. 开关电路设计中的快速切换元件。
2. 模拟信号放大器的核心组件。
3. 多路复用器和解复用器中的信号选择功能。
4. 便携式设备中的电池管理电路。
5. 各种消费类电子产品中的驱动电路。
6. 数据通信接口电路中的信号增强单元。
MMBT5401, 2SC2653