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MMDT5401 发布时间 时间:2025/6/17 1:55:37 查看 阅读:5

MMDT5401是一款双通道NPN晶体管阵列,广泛应用于模拟和数字电路中。它采用微型SOT-363封装,具有低饱和电压、高增益和高开关速度的特性。该器件适合用于信号放大、开关电路以及多路复用器等应用场合。
  由于其小型化设计和高性能参数,MMDT5401在便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极-基极击穿电压:30V
  发射极-基极击穿电压:5V
  连续集电极电流:200mA
  总功耗:270mW
  直流电流增益:最小100,典型300
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高性能NPN双晶体管集成在一个芯片上。
  2. 小型SOT-363封装节省空间,适用于紧凑型设计。
  3. 具有低饱和电压,能够实现高效的开关操作。
  4. 高增益确保了信号放大的稳定性。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。
  6. 可靠性高,满足工业级和消费级应用需求。

应用

1. 开关电路设计中的快速切换元件。
  2. 模拟信号放大器的核心组件。
  3. 多路复用器和解复用器中的信号选择功能。
  4. 便携式设备中的电池管理电路。
  5. 各种消费类电子产品中的驱动电路。
  6. 数据通信接口电路中的信号增强单元。

替代型号

MMBT5401, 2SC2653

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