MMDT4413_R1_00001 是一种双极型晶体管(BJT)阵列器件,由两个PNP晶体管组成,常用于需要高频率响应和低电压操作的模拟和数字电路中。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,采用SOT-23-6封装形式,适合在空间受限的电路板上使用。MMDT4413_R1_00001广泛应用于信号处理、逻辑电平转换、放大电路和开关电路中。
晶体管类型:双PNP晶体管
最大集电极电流(IC):100 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):-30 V
最大基极电流(IB):5 mA
功率耗散(PD):200 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):最小50(典型值110)
封装类型:SOT-23-6
MMDT4413_R1_00001 具有优异的高频响应特性,适用于高达100 MHz的信号处理应用。
该器件的SOT-23-6封装形式使其适用于高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
内置两个PNP晶体管,可以用于互补电路设计,减少外部元件数量,提高系统集成度。
其低饱和电压和快速开关特性使其非常适合用于低功耗开关电路和高速逻辑接口应用。
该晶体管阵列具有良好的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作。
MMDT4413_R1_00001 常用于数字和模拟电路中的信号放大、逻辑电平转换和开关控制。
在通信设备中,该器件可用于射频信号放大和调制电路。
在工业控制系统中,MMDT4413_R1_00001 可用于传感器信号调理和驱动继电器或LED显示屏。
消费类电子产品中,该器件可用于音频放大、电源管理和接口电路设计。
此外,该晶体管阵列也常用于电池供电设备中的低功耗信号处理和开关控制应用。
BC850PNP、MUN5213、MMBT4413、DMMT4413