晶体管类型：双极型晶体管（PNP）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：-40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：-40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：-20V
　　集电极电流（IC）：-100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

MMDT3946-TRR晶体管具有出色的性能和可靠性，适用于各种通用和高精度电子应用。该器件的VCEO为-40V，能够承受较高的电压应力，确保在较宽的工作电压范围内稳定运行。其IC额定值为-100mA，适合中等功率应用，同时具有快速的开关特性，适用于数字和模拟电路中的信号处理。
　　此外，MMDT3946-TRR采用SOT-23封装，具有较小的封装尺寸，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还提供了良好的热管理能力，使器件能够在较高环境温度下运行而不影响性能。该晶体管阵列的两个PNP晶体管具有匹配的电气特性，非常适合需要对称设计的电路，如差分放大器或桥式电路。

MMDT3946-TRR晶体管阵列广泛应用于多种电子系统，包括但不限于以下几个领域：在放大器电路中，常用于信号增强和模拟处理；在数字电路中，作为开关元件实现逻辑控制；在电源管理系统中，用于电压调节和电流控制；在接口电路中，用于逻辑电平转换和信号隔离；在传感器电路中，用于信号放大和调理；在LED驱动电路中，用于控制电流和亮度调节；在音频设备中，用于信号放大和处理；在工业自动化系统中，用于控制继电器、电机和其他执行器；在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于实现紧凑和高效的设计。

BCV61, MMBT3946-TR, BC846B