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MMDT3904_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/15 5:05:31 查看 阅读:30

MMDT3904_R1_00001 是一款双N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的型号,属于分立半导体器件,广泛应用于需要高效能和低电压操作的电路设计中。该器件通常用于高侧或低侧开关应用,支持较高的开关速度和较低的导通电阻,适用于消费电子、工业控制、电源管理和汽车电子等多个领域。

参数

晶体管类型:双N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):最大300mA
  漏源极击穿电压(Vds):最大30V
  栅源极击穿电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大0.15Ω
  功率耗散:最大300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

MMDT3904_R1_00001 具备一系列优异的电气特性和物理特性,适用于多种电子应用。其主要特性包括高效的电流控制能力、较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少电路中的功率损耗并提高整体效率。此外,该器件支持较高的工作温度范围(-55°C至150°C),使其能够在极端环境条件下稳定运行。该型号的双MOSFET结构设计可以有效地减少PCB空间占用,并提升设计的灵活性。由于其高栅极击穿电压(±20V),MMDT3904_R1_00001 在高电压控制场景中也表现出色,具备较强的抗干扰能力和可靠性。此外,该器件的封装形式通常为SOT-23或类似的小型封装,便于自动化生产和焊接。
  在实际应用中,MMDT3904_R1_00001 可以用于负载开关、电机驱动、电源管理、LED控制以及其他需要高效开关能力的电路设计。其快速的开关特性使得它非常适合用于高频工作的场景,同时能够降低开关过程中的能量损耗。对于设计人员而言,这款器件不仅易于集成,还具备较高的稳定性和可靠性。

应用

MMDT3904_R1_00001 广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备)、工业自动化控制系统(如PLC、传感器和执行器)、电源管理系统(如DC-DC转换器、电池充电电路)、LED照明控制以及汽车电子(如车载娱乐系统、车身控制模块)。此外,该器件也可用于电机控制、负载开关和低功耗物联网设备中。

替代型号

2N7002, BSS138, FDN335N

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MMDT3904_R1_00001参数

  • 现有数量39,904现货
  • 价格1 : ¥1.75000剪切带(CT)3,000 : ¥0.31399卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)40V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)50nA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大值225mW
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SOT-363