MMDT2907 是一款双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。它由ON Semiconductor生产,广泛应用于模拟和数字电路中,特别是在需要较高频率响应和低电压操作的场合。MMDT2907 通常用于开关和放大应用,因其性能稳定、响应速度快和封装小巧而受到青睐。
类型:PNP双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):200 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):300 mW
电流增益(hFE):110到800(根据工作条件不同)
过渡频率(fT):100 MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23
MMDT2907 具有多个优异的性能特点,使其在各类电子设计中得到广泛应用。
首先,该晶体管具有较高的过渡频率(fT)达到100 MHz,这意味着它可以在较高频率下保持良好的放大性能,适用于射频和高速开关应用。
其次,MMDT2907 的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,这使得它在不同电路配置中都能提供稳定的增益表现。此外,该晶体管的集电极-发射极电压(Vce)最大可达40V,使其能够在中等电压环境下可靠工作。
再者,MMDT2907 采用SOT-23小型封装,体积小、重量轻,适合高密度PCB布局,同时具有良好的热稳定性和可靠性。
最后,MMDT2907 的最大功耗为300 mW,适用于低功耗设计,同时具备宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在各种环境条件下稳定运行。
MMDT2907 由于其高频响应、低功耗和紧凑封装,被广泛应用于多个领域。
在通信领域,MMDT2907 常用于射频放大器和混频器电路中,以实现信号的高效放大和处理。其100 MHz的过渡频率使其成为高频电路设计的理想选择。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,MMDT2907 常用于电源管理、信号切换和传感器接口电路中,其SOT-23封装有助于节省空间并提高电路集成度。
工业控制领域中,MMDT2907 可用于驱动继电器、LED显示屏和小型电机,其较高的Vce和Ic能力使其适合中等功率的开关应用。
此外,MMDT2907 也常用于运算放大器输入级、逻辑门电路和数字开关电路中,提供稳定可靠的放大和开关功能。
BCX70G, 2N3906, MMBT2907