您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMDT2227M-7

MMDT2227M-7 发布时间 时间:2025/12/26 8:59:00 查看 阅读:20

MMDT2227M-7是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,采用SOT-23-6封装形式,内部集成了两个独立的NPN型晶体管。该器件专为通用放大和开关应用设计,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理模块以及逻辑驱动接口中。MMDT2227M-7具有良好的电气性能和热稳定性,适合在紧凑型高密度印刷电路板上使用。其封装符合RoHS环保标准,并支持表面贴装工艺,便于自动化生产装配。由于集成两个相同规格的NPN晶体管于单一芯片内,该器件有助于节省PCB空间并简化电路布局设计。此外,该器件具备较高的电流增益和快速的开关响应能力,适用于低功率信号切换与小电流负载控制场景。工作温度范围通常覆盖工业级标准(-55°C至+150°C),确保其在多种环境条件下稳定运行。

参数

类型:双NPN晶体管阵列
  封装:SOT-23-6 (SC-88A)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):60V
  最大集电极-基极电压(VCBO):75V
  最大发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):600mA
  最大功耗(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):100 - 340(典型值220,测试条件IC=150mA, VCE=1V)
  饱和电压(VCE(sat)):≤0.3V(典型值0.1V,测试条件IC=150mA, IB=15mA)
  过渡频率(fT):300MHz
  工作结温(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度(Tstg):-55°C 至 +150°C

特性

MMDT2227M-7内部集成两个完全独立且匹配良好的NPN型晶体管,每个晶体管均具备优异的高频响应能力和稳定的直流参数特性,适用于需要双通道一致性的模拟或数字电路设计。其高过渡频率(fT高达300MHz)使其能够在高频放大电路中有效工作,例如射频前端信号预放大或高速开关应用。晶体管的直流电流增益(hFE)范围宽广,在不同工作电流下保持较高增益水平,提升了电路设计的灵活性和稳定性。
  该器件的低饱和电压(VCE(sat) ≤ 0.3V)显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统能效,特别适合电池供电设备中的节能设计。同时,最大集电极电流可达600mA,足以驱动中小型继电器、LED指示灯或逻辑门电路等常见负载。
  SOT-23-6封装不仅体积小巧,节省PCB空间,而且引脚排列合理,易于进行差分对布线或共射极配置。这种封装还具备较好的散热性能,结合300mW的最大功耗能力,可在有限空间内实现可靠的热管理。
  器件符合AEC-Q101车规级可靠性认证,适用于汽车电子系统中的传感器接口、电机驱动控制及车载通信模块。此外,其ESD保护性能良好,增强了在实际装配和运行过程中的抗干扰能力。制造工艺采用先进的外延平面技术,确保了器件的一致性和长期可靠性。

应用

MMDT2227M-7常用于各类消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与电平转换电路。其双晶体管结构非常适合构建差分放大器、推挽输出级或多级级联放大电路,广泛应用于音频前置放大、传感器信号调理和脉冲整形电路中。
  在电源管理系统中,该器件可用于低压DC-DC转换器的驱动级或作为负载开关控制元件,实现高效的电源通断管理。此外,它也适用于LED背光驱动、继电器驱动以及I/O端口扩展等数字开关应用。
  由于其高频率响应特性,MMDT2227M-7也可用于无线通信模块中的射频信号缓冲或调制解调电路。在工业控制领域,该器件可用于PLC输入输出接口、光电耦合器驱动电路及小型电磁阀控制。
  汽车电子方面,可用于车身控制模块(BCM)、车灯控制单元、雨刷电机驱动以及车载信息娱乐系统的信号处理部分。其工业级温度范围和高可靠性使其适应恶劣工作环境。此外,该器件还可作为逻辑门电路的有源元件,用于构建简单的非门、与非门或振荡电路,满足嵌入式系统中对微型化和多功能集成的需求。

替代型号

[
   "MMBT2222A",
   "BC847BP",
   "FMMT2227",
   "DXT2227",
   "ZXTN2227"
  ]

MMDT2227M-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMDT2227M-7资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMDT2227M-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V,60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换300MHz,200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMDT2227MDITR