MMDF6N02HDR 时间：2025/9/3 14:47:21 阅读：29

MMDF6N02HDR是一款P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件由ON Semiconductor（安森美半导体）制造，采用小型DFN（Dual Flat No-leads）封装，适合高密度电路设计。MMDF6N02HDR具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热性能，能够在多种电子设备中实现高效能和高可靠性。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　漏极电流（Id）：-6A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ @ Vgs = -4.5V；最大40mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN1006
　　引脚数：6
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.45V 至 -1.5V

特性

MMDF6N02HDR具备多项优异特性，使其适用于各种电源管理场景。其P沟道结构在关断状态下提供良好的隔离性能，并在导通状态下实现较低的功率损耗。低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中具有较小的电压降和发热，从而提升整体效率。
　　该MOSFET采用DFN封装，具有良好的散热性能和小型化优势，适合空间受限的设计。其封装无引脚设计有助于提高组装效率并减少PCB上的占用空间。此外，MMDF6N02HDR具有较高的热稳定性，能够在较高环境温度下稳定运行。
　　器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣工作环境，包括工业级应用场景。其栅极驱动电压范围宽（最大±8V），可兼容多种控制电路设计，如微控制器或专用电源管理IC。
　　MMDF6N02HDR还具备良好的抗静电（ESD）能力和过热保护特性，进一步提升了系统的可靠性。由于其具备较高的电流承载能力（-6A连续漏极电流），该器件可广泛用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及便携式电子设备中的电源控制。

应用

MMDF6N02HDR广泛应用于需要高效能P沟道MOSFET的电子系统中，例如：负载开关电路、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池供电设备中的电源管理系统、电机驱动控制、LED背光驱动电路以及各类便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理模块。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备、电源适配器、USB电源管理、热插拔系统以及需要高效率和小型化设计的嵌入式系统。其低导通电阻和小型封装特别适合高密度PCB设计和对热性能有要求的应用场景。