MMDF6N02HDR是一款P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理和负载开关应用。该器件由ON Semiconductor(安森美半导体)制造,采用小型DFN(Dual Flat No-leads)封装,适合高密度电路设计。MMDF6N02HDR具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压和良好的热性能,能够在多种电子设备中实现高效能和高可靠性。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-20V
栅源电压(Vgs):±8V
漏极电流(Id):-6A(连续)
导通电阻(Rds(on)):最大30mΩ @ Vgs = -4.5V;最大40mΩ @ Vgs = -2.5V
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:DFN1006
引脚数:6
阈值电压(Vgs(th)):-0.45V 至 -1.5V
MMDF6N02HDR具备多项优异特性,使其适用于各种电源管理场景。其P沟道结构在关断状态下提供良好的隔离性能,并在导通状态下实现较低的功率损耗。低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中具有较小的电压降和发热,从而提升整体效率。
该MOSFET采用DFN封装,具有良好的散热性能和小型化优势,适合空间受限的设计。其封装无引脚设计有助于提高组装效率并减少PCB上的占用空间。此外,MMDF6N02HDR具有较高的热稳定性,能够在较高环境温度下稳定运行。
器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种恶劣工作环境,包括工业级应用场景。其栅极驱动电压范围宽(最大±8V),可兼容多种控制电路设计,如微控制器或专用电源管理IC。
MMDF6N02HDR还具备良好的抗静电(ESD)能力和过热保护特性,进一步提升了系统的可靠性。由于其具备较高的电流承载能力(-6A连续漏极电流),该器件可广泛用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)以及便携式电子设备中的电源控制。
MMDF6N02HDR广泛应用于需要高效能P沟道MOSFET的电子系统中,例如:负载开关电路、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池供电设备中的电源管理系统、电机驱动控制、LED背光驱动电路以及各类便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理模块。
此外,该器件也适用于工业控制设备、电源适配器、USB电源管理、热插拔系统以及需要高效率和小型化设计的嵌入式系统。其低导通电阻和小型封装特别适合高密度PCB设计和对热性能有要求的应用场景。
Si3442DV-T1-GE3, AO4403, FDC640P, DMG2305UX-7