MMDF5N02ZR2 是一款由 ROHM(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 2.5mm x 2.5mm 小型封装(DFN2525封装),适用于高密度、高效率的电源管理系统。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及各类便携式电子产品中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):5.1A
最大漏极-源极电压(VDS):20V
最大栅极-源极电压(VGS):±8V
导通电阻(Rds(on)):@VGS=4.5V时,最大为7.5mΩ;@VGS=2.5V时,最大为9.5mΩ
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:DFN2525(双侧引脚无引线封装)
MMDF5N02ZR2 具备多项优异特性,首先其低导通电阻可显著降低导通损耗,从而提升系统效率,尤其是在高电流应用中效果更为明显。其次,该器件采用了 ROHM 独有的工艺技术,使其在小封装下仍能保持良好的热稳定性和电流承载能力,适合用于紧凑型设计。
此外,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,可在 2.5V 至 4.5V 之间正常工作,兼容多种控制电路(如低压微控制器),提高了设计灵活性。DFN 封装具备优异的热性能和焊接可靠性,同时减少了寄生电感,有助于提升高频开关性能。
MMDF5N02ZR2 还具有出色的耐用性和可靠性,适用于汽车电子、工业自动化、移动设备等多种应用场景。其符合 RoHS 标准且不含卤素,满足现代电子产品对环保材料的要求。
MMDF5N02ZR2 主要应用于以下领域:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理电路;DC-DC 转换器和同步整流器;负载开关与电池保护电路;工业控制设备中的功率开关;汽车电子系统中的低电压功率控制单元等。其优异的性能和小型化设计使其成为高密度 PCB 设计的理想选择。
Si2302DS, BSS138K, FDMS3610S, FDMC6680, MMDF6N02R2