时间：2025/9/3 12:29:55
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MMDF5N02ZR2 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 2.5mm x 2.5mm 小型封装（DFN2525封装），适用于高密度、高效率的电源管理系统。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适合用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及各类便携式电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5.1A
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：@VGS=4.5V时，最大为7.5mΩ；@VGS=2.5V时，最大为9.5mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DFN2525（双侧引脚无引线封装）
MMDF5N02ZR2 具备多项优异特性，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，从而提升系统效率，尤其是在高电流应用中效果更为明显。其次，该器件采用了 ROHM 独有的工艺技术，使其在小封装下仍能保持良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于紧凑型设计。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 2.5V 至 4.5V 之间正常工作，兼容多种控制电路（如低压微控制器），提高了设计灵活性。DFN 封装具备优异的热性能和焊接可靠性，同时减少了寄生电感，有助于提升高频开关性能。
MMDF5N02ZR2 还具有出色的耐用性和可靠性，适用于汽车电子、工业自动化、移动设备等多种应用场景。其符合 RoHS 标准且不含卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。
MMDF5N02ZR2 主要应用于以下领域：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理电路；DC-DC 转换器和同步整流器；负载开关与电池保护电路；工业控制设备中的功率开关；汽车电子系统中的低电压功率控制单元等。其优异的性能和小型化设计使其成为高密度 PCB 设计的理想选择。
Si2302DS, BSS138K, FDMS3610S, FDMC6680, MMDF6N02R2
