MMDF3N06HDR2 时间：2025/8/28 15:39:48 阅读：11

MMDF3N06HDR2 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。MMDF3N06HDR2采用先进的沟槽技术，提供优异的电气性能和可靠性，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。该器件封装为PowerPAK? MLP33-3封装，具有较小的封装尺寸和优良的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　最大栅极电压（VGSS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.1A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为28mΩ（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：PowerPAK MLP33-3
　　功率耗散（PD）：2.5W

特性

MMDF3N06HDR2是一款采用先进沟槽技术制造的功率MOSFET，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其适用于多种驱动条件，同时增强了抗电压尖峰的能力。由于其低输入电容和快速开关特性，MMDF3N06HDR2在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。
　　此外，该MOSFET采用PowerPAK MLP33-3封装，具有优异的热管理和小型化设计，适用于空间受限的应用。该封装结构也提升了散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持稳定工作温度。MMDF3N06HDR2还具备良好的雪崩能量承受能力，提高了器件在高压冲击条件下的可靠性。
　　器件符合RoHS标准，无卤素，符合现代电子产品的环保要求。其高可靠性、高效率和紧凑型设计使其成为多种功率管理应用的理想选择。