MMDB30-0402 时间：2025/8/16 5:42:51 阅读：7

MMDB30-0402 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路、双极型、高频晶体管阵列，适用于射频（RF）和高速数字应用。该器件采用 SOT-23 封装，具有小尺寸和良好的高频性能，适合用于低噪声放大器、射频开关、混频器以及射频前端模块等高频电路设计中。

参数

晶体管类型：双极性晶体管（BJT）
　　配置：双路晶体管（Dual Transistor）
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　截止频率（fT）：250 MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

MMDB30-0402 晶体管具有优异的高频响应性能，其截止频率（fT）高达 250 MHz，使其非常适合用于射频放大器和高速开关电路。
　　该器件采用 SOT-23 小型封装，节省 PCB 空间，便于高密度电路布局。
　　两个晶体管之间具有良好的匹配性，可提高电路的对称性和稳定性，适用于差分放大器和射频混频器等应用。
　　晶体管具备低噪声系数，适用于低噪声放大器（LNA）设计，有助于提高接收系统的灵敏度。
　　由于其良好的线性度和高频特性，MMDB30-0402 可广泛应用于无线通信、Wi-Fi、蓝牙、Zigbee 等射频前端模块中。
　　此外，该器件具有较高的可靠性，适用于工业和消费类电子产品。

应用

MMDB30-0402 主要应用于射频和高速电子电路中，包括低噪声放大器（LNA）、射频混频器、射频开关、振荡器、调制解调器、无线通信模块、Wi-Fi 和蓝牙模块、Zigbee 通信系统、传感器接口电路以及高速数字信号处理电路等。
　　其小型封装和高性能特性也使其适用于便携式电子产品和嵌入式系统中的射频前端设计。
　　在汽车电子、工业控制和无线基础设施中，该器件同样具有广泛的应用前景。