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MMD70R900PRH 发布时间 时间:2025/12/25 12:46:03 查看 阅读:10

MMD70R900PRH是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,具有优异的开关特性和热性能,能够显著提升电源系统的整体效率和功率密度。MMD70R900PRH属于英飞凌第七代SiC肖特基二极管产品线,广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源(UPS)以及服务器电源等高端电力转换系统中。
  该二极管的额定电压为900V,平均正向电流可达70A,适用于大功率应用场景。其无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)的特性使其在高频开关条件下几乎不产生开关损耗,从而大幅降低系统温升并减少电磁干扰(EMI)。此外,MMD70R900PRH具备良好的抗浪涌能力和长期可靠性,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。封装形式采用TO-247-3L,便于安装散热片,支持通孔焊接,适用于模块化和分立式设计。由于其出色的动态性能和热稳定性,该器件成为替代传统硅基快恢复二极管的理想选择。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  极性:单二极管
  重复峰值反向电压(VRRM):900V
  直流反向电压(VR):900V
  平均正向整流电流(IF(AV)):70A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):540A
  正向电压降(VF):1.7V(典型值,@ IF = 70A, Tj = 25°C)
  反向漏电流(IR):0.2mA(典型值,@ VR = 900V, Tj = 25°C);5mA(最大值,@ VR = 900V, Tj = 175°C)
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +185°C
  封装:TO-247-3L
  安装类型:通孔
  反向恢复时间(trr):≈ 0 ns(无反向恢复电荷)

特性

MMD70R900PRH的核心优势在于其基于碳化硅(SiC)半导体材料所实现的卓越电学与热学性能。与传统的硅基PIN二极管相比,该器件彻底消除了反向恢复电荷(Qrr),从而在高频开关操作中不会产生额外的开关损耗。这一特性极大地提升了电源转换效率,尤其是在硬开关拓扑如LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路中表现尤为突出。同时,由于没有反向恢复引起的电流尖峰,系统的电磁干扰(EMI)水平显著降低,有助于简化滤波电路设计并满足更严格的EMI标准。
  该器件具有非常低的正向导通压降(VF),在额定电流70A下仍保持约1.7V的典型值,这有助于减少导通损耗并提高能效。更重要的是,其正向电压具有正温度系数,使得在多管并联使用时电流分配更加均匀,无需额外的均流措施即可实现可靠的并联扩展。这种特性对于构建高功率密度电源系统至关重要。
  MMD70R900PRH的工作结温高达+175°C,并可在极端环境下长期稳定运行。其出色的热导率和耐高温能力允许器件在紧凑型散热设计中依然保持良好性能,适合用于空间受限但散热挑战大的应用场景,如车载充电机或5G基站电源。此外,该器件对dv/dt噪声具有很强的免疫力,在快速电压变化下仍能保持稳定,避免误触发或失效。
  封装方面,TO-247-3L结构提供了优良的电气隔离和机械强度,引脚配置优化了寄生电感,有利于高速开关性能。内部键合工艺经过严格质量控制,确保长期工作下的连接可靠性。整体设计符合RoHS和REACH环保要求,并通过AEC-Q101车规级可靠性测试,适用于严苛工业及汽车电子环境。

应用

MMD70R900PRH凭借其高效率、高耐压和高频特性,广泛应用于各类高性能电力电子系统中。在通信电源领域,它被用于高效服务器电源和数据中心PSU中的输出整流环节,帮助实现80 PLUS钛金等级的超高能效标准。在新能源发电系统中,该器件常用于光伏(PV)逆变器的升压级或旁路二极管位置,提升整体转换效率并延长设备寿命。
  在电动汽车相关应用中,MMD70R900PRH可用于车载充电机(OBC)和直流快充桩的功率因数校正(PFC)级,特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中发挥关键作用,因其零反向恢复特性可极大降低开关损耗,提升充电效率并减少热管理负担。此外,在工业电机驱动、UPS不间断电源和感应加热设备中,该二极管也作为自由轮转二极管或续流二极管使用,提供快速响应和高可靠性。
  由于其优异的温度稳定性和抗浪涌能力,该器件还适用于高温、高湿或振动频繁的工业现场环境。例如,在铁路牵引系统或海上风电变流器中,MMD70R900PRH能够在复杂电磁环境和宽温范围内持续稳定工作,保障系统安全运行。

替代型号

IDW70E90C

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