时间：2025/12/25 6:21:40
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MMD60R750P 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，专为高效能电源管理应用设计。该器件采用先进的U-MOS技术，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统等高要求场景。MMD60R750P 提供了优异的热稳定性和电气性能，确保在高负载条件下仍能保持可靠运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏源击穿电压（VDS）：750V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.18Ω（最大0.22Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
MMD60R750P 的核心优势在于其卓越的导通性能和耐用性。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下提供稳定的运行表现。采用U-MOS结构设计，使得MMD60R750P 在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
该MOSFET还具有良好的热管理特性，能够在高电流和高温环境下保持稳定工作。内置的快速恢复二极管也增强了其在高频率和高能效应用中的适应性。MMD60R750P 设计上考虑了高可靠性，符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，广泛应用于工业、消费类电子和通信设备中。
MMD60R750P 广泛应用于多种电力电子系统中，如高效开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器以及LED照明系统。由于其高电压耐受能力和低导通电阻，该器件也适用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备等新兴能源技术领域。
在工业自动化系统中，MMD60R750P 可用于驱动继电器、电磁阀和直流电机等负载。在消费类电子产品中，该MOSFET常用于电源适配器、电源管理模块和智能家电控制系统。此外，该器件还可用于通信设备中的电源模块，以确保高效稳定的电力供应。
TKA75N75W,TTPF8N80,TDT140N20K,TDT140N20K-O
