型号：MMBZ5V6AL-7
　　封装类型：SOD123
　　齐纳电压（Vz）：5.6V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　极性：齐纳二极管
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大动态阻抗（Zzt）：10Ω
　　漏电流（Ir）：1μA @ VR = 1V
　　热阻（RθJA）：250°C/W

MMBZ5V6AL-7具备出色的电压稳定性和温度特性，其标称齐纳电压为5.6V，这是硅基齐纳二极管中具有最低温度系数的典型值之一，通常在+2mV/°C左右，能够在宽温度范围内保持稳定的输出电压。这一特性使其非常适合用作参考电压源或用于精密电路中的电压箝位。该器件的容差为±5%，确保了在批量生产中的一致性与可靠性。其SOD123封装体积小巧，仅占用极少的PCB空间，适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的电子产品。封装还具备良好的散热性能，在自然对流条件下可有效将热量传递至周围环境，从而保证长时间工作的稳定性。
　　该齐纳二极管的最大功耗为500mW，能够在有限的空间内处理适度的功率需求，适用于中小电流场景下的稳压任务。其低动态阻抗（典型值10Ω）意味着即使负载电流发生波动，输出电压也能保持相对恒定，提升了系统的抗干扰能力。在反向偏置状态下，漏电流极低（1μA @ VR=1V），有助于减少待机模式下的功耗，特别适合电池供电设备。此外，MMBZ5V6AL-7具有较快的响应速度，能够迅速抑制瞬态过电压，起到一定的ESD保护作用。
　　该器件的工作结温可达+150°C，具备较强的耐热能力，可在高温环境下可靠运行。其热阻RθJA为250°C/W，表明每消耗1瓦功率时结温将升高250°C，因此在实际应用中需注意散热设计以避免过热损坏。MMBZ5V6AL-7符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于工业控制、汽车电子等严苛环境。整体而言，这款齐纳二极管集小型化、高效能和高可靠性于一体，是现代电子系统中实现电压保护和基准电压生成的理想选择。

MMBZ5V6AL-7常用于各类电子设备中的电压箝位、过压保护和稳压电路，尤其适合在低功率环境中作为参考电压源使用。它广泛应用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，用于保护敏感的模拟或数字接口免受静电放电（ESD）和瞬态电压冲击的影响。在电源管理系统中，该器件可用于辅助电源轨的稳压，或作为反馈回路中的电压基准元件。
　　在通信接口电路中，例如USB、I2C、UART等信号线上，MMBZ5V6AL-7可以并联连接以限制信号电压幅度，防止因电压过高而导致后级IC损坏。其快速响应特性和低电容特性使其成为高速信号线路保护的理想选择。此外，在传感器模块中，该齐纳二极管可用于为传感器供电端提供稳定的偏置电压，提升测量精度和系统稳定性。
　　在工业控制领域，MMBZ5V6AL-7可用于PLC输入/输出接口的电压限幅，或在ADC前端电路中作为钳位元件，防止模拟信号超出允许范围。由于其符合AEC-Q101标准，也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统中的电压保护电路。此外，该器件还可用于开关电源中的反馈网络，提供稳定的参考点以调节输出电压。总之，MMBZ5V6AL-7凭借其小尺寸、高精度和高可靠性，适用于多种需要电压稳定与保护功能的场景。

PMEZ5V6A,115
　　BZX84C5V6,215
　　SZMMSZ5V6T1G
　　5.6V Zener Diode SOD-123